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相关试题
- 1.在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度
- 2.在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度 选项： A、对 B、错
- 3.在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度选项： A:对 B:错
- 4.在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度选项： A:错 B:对
- 5. 本征半导体中，自由电子浓度________空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度________空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度________空穴浓度。
- 6. 在本征半导体中，自由电子浓度_____空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度_______空穴浓度，在N型半导体中，自由电子浓度_______空穴浓度。 选项： A、 大于 B、 小于 C、 等于 D、 不等于
- 7.( ) 在N型半导体中,多子是____ ,少子是____;在P型半导体中,多子是____,少子是____。 ： ( ) 自由电子 ( ) 空穴 ( ) 空穴 ( ) 自由电子 ：
- 8.以下关于内光电效应表述正确的是选项： A:在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，导致半导体自身的电学特性发生改变的现象。; B:在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，且所产生的光电子发射到半导体外的现象。; C:在红外辐射入射下，探测器材料接收外界光子能量受热升温，进而产生与温度相关的电学性质改变的现象。; D:半导体材料内部载流子在电场作用下产生双极运动的现象。
- 9.在本征半导体中，自由电子和空穴的数量是（ ）。 选项：A、相同 B、不同 C、自由电子多于空穴 D、自由电子少于空穴
- 10.在本征半导体中，自由电子浓度（ ）空穴浓度；
- 11.P型半导体少子是（ ） 选项： A、自由电子 B、光子 C、离子 D、空穴
- 12.自由电子为 载流子，空穴为 载流子的杂质半导体称为N型半导体。
- 13.自由电子为（ ）载流子， 空穴为（ ）载流子的杂质半导体，称为Ｎ型半导体。
- 14.以下可以被视为载流子的是（ ）。选项： A:溶液中的离子; B:金属中的自由电子; C:半导体中的空穴; D:半导体中的自由电子
- 15. 本征半导体的载流子为自由电子和空穴。（ ）
- 16. 杂质半导体中的空穴带正电，自由电子带负电。
- 17.杂质半导体中的空穴带正电,自由电子带负电。
- 18.关于N型半导体、P型半导体说明正确的( )。 选项： A、N型半导体带负电、P型半导体带正电 B、N型半导体带正电、P型半导体带负电 C、N型半导体多子为空穴、P型半导体多子为自由电子 D、N型半导体多子为自由电子、P型半导体多子为空穴
- 19.实用光电阴极多采用如下的哪一种半导体结构：选项： A: P型半导体N型表面态，二者形成统一费米能级后，表面的N型区会导致表面处的能带向下弯曲，使结构整体的电子亲和势（表面势垒）等效降低，有利于光电子的逸出； ; B: N型半导体P型表面态，二者形成统一费米能级后，表面附件会形成尖薄的表面势垒，形成隧穿效应，有利于光电子的逸出。 ; C:P型半导体N型表面态，二者形成统一费米能级后，表面附件会形成尖薄的表面势垒，形成隧穿效应，有利于光电子的逸出。; D: N型半导体P型表面态，二者形成统一费米能级后，表面的N型区会导致表面处的能带向下弯曲，使结构整体的电子亲和势（表面势垒）等效降低，有利于光电子的逸出；
- 20.光照到某些金属或半导体材料上，若入射的光子能量足够大，致使电子从材料中逸出，称为（ ）效应。选项： A:光电导效应; B:光生伏特效应; C:内光电效应; D:光电发射效应
- 21.p沟道mos场效应管衬底用 半导体，由 形成导电沟道。 选项： A、N,自由电子 B、N,空穴 C、P,自由电子 D、P,空穴
- 22.P型半导体中自由电子是载流子,空穴是载流子。
- 23.N型半导体中自由电子是载流子,空穴是载流子。
- 24.在本征半导体中，自由电子浓度_______空穴的浓度选项： A:大于 B:小于 C:等于
