N型GaAs中，在阴极附近某处形成的偶极畴有何特点？
选项：
A:畴内电子为慢电子;
B:畴内电场比畴外电场高得多;
C:均匀掺杂的半导体器件一般只能形成一个偶极畴;
D:畴内电子为快电子
发布时间：2024-06-15 19:21:08
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一种为（）磁畴壁（两相邻畴的磁化方向相反）；
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