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简述浮区法(垂直区熔法)特点
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发布时间:
2024-06-04 19:56:09
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相关试题
1.
生长单晶硅的方法有( ) 选项: A、CZ法 B、区熔法
2.
下列哪种拉直单晶的方法成本更低() 选项: A、CZ法 B、区熔法
3.
单晶硅的制作可采用直拉法、悬浮区熔法。( )选项: A:对 B:错
4.
单晶硅的制备方法有()。 选项: A、定向凝固法 B、直拉单晶法 C、浇筑法 D、区熔法
5.
晶体生长有不同的方法,以下不是熔体法生长的是 选项: A、直拉法 B、布里奇曼法 C、区熔法 D、真空蒸发法
6.
区熔法可以生长熔点极高的晶体。选项: A:正确; B:错误
7.
单晶硅生产方法有哪些 选项: A、 直拉法(CZ) B、 区熔法(FZ) C、 定向凝固法 D、 冷氢化法
8.
下列哪种不是单晶材料生长方法( )。选项: A:提拉法 B:区熔法 C:沉淀法 D:水热法
9.
下面哪种不是单晶硅的制备方法 选项: A:硅带法 B:区熔法 C:直拉单晶法 D:磁拉法
10.
大的碱氯化合物光学晶体主要采用()方法进行制备选项: A:提拉法; B:坩埚下降法; C:区熔法; D:熔盐法
11.
区熔法比直拉法制备的单晶硅纯度低 选项: A:正确 B:错误
12.
请简述区段行车法单联锁区进路办理程序。
13.
常见的制备单晶硅的方法有 选项:A.直拉法(CZ) B.悬浮区熔法(FZ) C.蒸发 D.溅射
14.
简述熔体制备单晶的方法,坩埚法和直拉法的过程细节。
15.
示波器的前面板区域分别是()。 选项: A:垂直区、触发区 B:垂直区、水平区 C:水平区、触发区 D:垂直区、水平区和触发区
16.
简述直熔法的工作原理和基本原理
17.
经过激光熔凝处理的工件横截面沿深度方向的组织依次为∶ 选项: A、相变硬化层、热影响区、熔凝层和基材 B、熔凝层、相变硬化层、热影响区和基材 C、熔凝层、热影响区、相变硬化层和基材 D、相变硬化层、熔凝层、热影响区和基材
18.
世界三大浮法指的是( )、( )、( )。A.英国皮尔金顿浮法B.美国匹兹堡浮法C.中国洛阳浮法D.法国圣戈班浮法
19.
下述方法属于熔体生长法的是()选项: A:提拉法; B:液相外延法; C:熔盐法; D:焰熔法
20.
下述方法属于熔体生长法的是()选项: A:提拉法; B:液相外延法; C:熔盐法; D:焰熔法
21.
( )McNeal分区法中的前列腺非腺体区是 选项: A: 中央区 B: 周缘区 C:前纤维肌肉基质区 D: 移行区
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