光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生()。使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
A:光子效应
B:霍尔效应
C:热电效应
D:压电效应
发布时间：2024-06-05 09:11:39
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光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生()。使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
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- 1.光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（ ），使材料的电学性质发生变化，通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射强弱，光子效应所制成的红外探测器。 选项： A、光子效应 B、霍尔效应 C、热电效应 D、压电效应
- 2.光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。 选项： A、光子效应 B、霍尔效应 C、热电效应 D、压电效应
- 3.【单选题】光子探测是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）。使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。
- 4.光子探测器基本原理是( ) 选项： A:有光子照射，材料电学性质发生变化，确定红外辐射强弱 B:外光电效应 C:内光电效应
- 5.以下关于内光电效应表述正确的是选项： A:在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，导致半导体自身的电学特性发生改变的现象。; B:在光辐射的照射下，半导体内因吸收光子产生电子空穴对，且所产生的光电子发射到半导体外的现象。; C:在红外辐射入射下，探测器材料接收外界光子能量受热升温，进而产生与温度相关的电学性质改变的现象。; D:半导体材料内部载流子在电场作用下产生双极运动的现象。
- 6.光子探测器型红外传感器是利用光子效应进行工作的传感器。选项： A:正确; B:错误
- 7.下面属于半导体材料性质的是 选项： A: 半导体材料的电学性能受温度、光照、掺杂的影响很大 B: 半导体材料具有光电效应 C: 半导体材料具有压阻效应 D: 半导体在磁场中会产生霍尔效应,磁阻效应
- 8.关于红外传感器,下述说法不正确的是( )A、红外传感器是利用红外辐射实现相关物理量测量的一种传感器B、红外传感器的核心器件是红外探测器C、光子探测器在吸收红外能量后,将直接产生电效应D、为保持高灵敏度,热探测器一般需要低温冷却
- 9.霍尔传感器是利用的（）制成的传感器。 选项：A、压电效应 B、逆压电效应 C、霍尔效应 D、电阻的热效应
- 10.磁敏传感器是基于（ ）原理而制成的。 选项： A:霍尔效应 B:光电效应 C:压电效应 D:热电效应
- 11.磁敏传感器是基于（ ）原理而制成的选项： A:霍尔效应 B:光电效应 C:压电效应 D:热电效应
- 12.磁敏传感器是基于（ ）原理而制成的。 选项： A、压电效应 B、热电效应 C、霍尔效应 D、光电效应
- 13.半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的（ ）。选项： A:压电效应; B:光电效应; C:压阻效应; D:霍尔效应
- 14.导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时，其电阻值相应发生变化，这种现象称为（ ）选项： A:霍尔效应; B:热电效应; C:应变效应 ; D:光电效应
- 15.影响光电导型红外热探测器激发率的相关因素包括选项： A:半导体材料的吸收系数; B:半导体材料表面的反射率; C:入射到半导体材料中的红外辐射光子的波长; D:半导体材料的量子效率; E:构成红外探测器的半导体材料的厚度
