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两种不同金属接触后,费米能级高的带正电,对导电有贡献的是费米面附近的电子。( )
选项:
A:对
B:错
附近
正电
发布时间:
2024-05-27 12:16:46
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1.
当表面能级低于半导体的费米能级,即为受主表面能能级时,从半导体内部俘获电子而带负电,内层带正电在表面附近形成表面空间电荷层。( ) 选项: A、错 B、对
2.
根据索末菲自由电子理论,只有费米能附近的电子才对电子热容有贡献。 选项: A、正确 B、错误
3.
中国大学MOOC: 根据索末菲自由电子理论,只有费米能附近的电子才对电子热容有贡献。
4.
以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是( ) 选项: A、表面处费米能级与本征费米能级重合 B、表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央 C、表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等 D、表面势等于费米势的两倍 E、表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
5.
一绝缘金属球,与同样的带正电荷q的金属球相接触后,带正电的金属球电量减小,则绝缘金属球原来的带电情况可能是() 选项: A、不带电 B、带负电 C、带小于q的正电荷 D、带大于q的正电荷
6.
以下说法不正确的是( )。选项: A:对n型半导体,随着施主浓度ND的增加,费米能级EF从禁带中线逐渐向导带底方向靠近。; B:对p型半导体,随着受主浓度NA的增加,费米能级EF从禁带中线逐渐向价带顶方向靠近。; C:杂质半导体中载流子浓度和费米能级EF的位置由杂质浓度所决定,与温度无关。; D:在杂质半导体中,费米能级EF的位置不但反映了半导体的导电类型,而且还反映了半导体的掺杂水平。
7.
费米能级是,在T=0K时,金属原子中电子被填充的最高能级,以下能级全满,以上能级全空。选项: A:正确; B:错误
8.
本征半导体的特点是()选项: A:电子和空穴浓度相等; B:电子和空穴浓度不相等; C:费米能级处于导带底和价带顶的中间; D:费米能级处于价带底和导带顶的中间。
9.
以下说法正确的是()选项: A:施主能级被电子占据时呈电中性; B:受主能级被电子占据时呈电中性; C:P型半导体的费米能级略低于导带底部; D:N型半导体的费米能级略高于价带顶部
10.
金属键就是带正电荷的金属原子与核外带负电荷的自由电子通过静电作用而形成的化学键。选项: A:对 B:错
11.
半导体中有________和________两种载流子参与导电,其中________带正电,而________________带负电。
12.
接触电势是由于两种不同导体的自由电子密度不同而在接触处形成的电动势。 选项: A、对 B、错
13.
对于p型半导体,费米能级随受主杂质掺杂浓度的变化情况为?A.费米能级随掺杂浓度的增加向 价带顶 移动B.费米能级随掺杂浓度的增加向 导带底 移动C.费米能级随掺杂浓度的增加向 禁带中线 移动D.费米能级随掺杂浓度的增加向 施主能级 移动
14.
杂质半导体中有________和________两种载流子参与导电,其中________带正电,而________带负电。
15.
室温下,n-Si中的电子浓度为空穴浓度的10000倍,则其费米能级位于( )。选项: A:禁带中线之下; B:禁带中线; C:禁带中线之上; D:施主能级
16.
半导体中有 和 两种载流子参与导电,其中空穴 带正电,而 带负电。
17.
费米能级是电子占据几率为1/4的量子态所对应的能级。
18.
杂质半导体中有和两种载流子参与导电,其中带正电,而带负电。
19.
3.热电动势的组成热电动势由________和________组成,大小与两种________及热端与冷端的________有关。温差电动势比接触电动势要小很多,所以热电动势主要取决于接触电动势。1)接触电动势是由于两种不同导体的自由电子密度不同而在接触处形成的电动势。密度大的导体失去电子,在接触面附近积累正电荷;密度小的导体得到电子,在接触面附近积累负电荷。于是,在接触面附近形成一静电性稳定的电位差即接触电动势https://bgk-photo.cdn.bcebos.com/34fae6cd7b899e5122e0a77552a7d933c8950d60.jpg。其值与材料和温度有关。2)温差电动势是在同一根导体中由于两端温度不同而产生的电动势。高温端电子能量比低温端大,则高温端容易失去电子带正电,低温端得到电子带负电。
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