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MOSFET中的导电沟道是指其()?? 反型层耗尽层金属层氧化层
导电
耗尽
发布时间:
2024-04-08 15:55:14
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1.
MOSFET中的导电沟道是指其()?? 氧化层|金属层|耗尽层|反型层
2.
MOSFET中的导电沟道是指其()?? 氧化层金属层耗尽层反型层
3.
MOSFET中的导电沟道是指其()?A.金属层B.耗尽层C.反型层D.氧化层
4.
中国大学MOOC: MOSFET中的导电沟道是指其()?
5.
MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件,按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。选项: A:正确; B:错误
6.
电力MOSFET的导通原理是: 选项: A、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压大于某一数值时,MOSFET内部形成导电沟道,器件导通。 B、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压大于零时,MOSFET内部形成导电沟道,器件导通。 C、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压小于某一数值时,MOSFET内部形成导电沟道,器件导通。
7.
以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流:( )。选项: A:栅氧化层厚度减小; B:沟道长度增加; C:沟道宽度增加; D:阈值电压提高
8.
以下关于电力MOSFET导电沟道说法错误的是( )。 选项: A:可分为P沟道和N沟道 B:当栅极电压为零时,漏源极之间就存在导电沟道的,称为耗尽型 C:对于N沟道器件,栅极电压等于零时才存在导电沟道的,称为增强型 D:在电力MOSFET中,N沟道增强型器件较多
9.
题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是()。? 结电容耗尽层电容源漏交叠电容栅极氧化层电容
10.
增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道
11.
按导电沟道不同,电力 MOSFET可分为哪两项选项: A:耗尽型 B:增强型 C:P沟道 D:N沟道
12.
耗尽层电容
13.
当PN结加正向偏置时,( )。 选项: A、内电场增强 B、内电场减小 C、耗尽层变宽 D、耗尽层变窄
14.
某场效应管的转移特性如图所示,则该管是() 选项: A、P沟道增强型MOSFET B、P沟道JFET C、N沟道增强型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFET
15.
空间电荷层形成耗尽层,材料表面电导率降低。()
16.
PN结也称为( )。选项: A:空间电荷区; B:阻挡层; C:耗尽层; D:电位壁垒(势垒层)
17.
空间电荷区称为( ) 选项: A:PN结 B:阻挡层 C:耗尽层 D:隔离层
18.
N沟道增强型MOSFET的开启电压为( );P沟道增强型MOSFET的开启电压为( )。
19.
在土壤各层中, 层是重金属的富集层。
20.
当MOSFET工作在恒流区(饱和区)时,它的导电沟道是连续的(沟道没有夹断区)。
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